LED Driver circuits

 

LCD Drivers (firmware)

 

RF and Communications
 

Toroid and Ferrite Bead Winding Notes

Transistor_matching   (New -January 2011)

سلف

سلف یک عنصر غیر فعال الکترونیکی است که می تواند انرژی الکتریکی را در مجاورت یک هادی و در داخل یک میدان مغناطیسی که به وسیله جریان الکتریکی موجود در هادی به وجود آمده، ذخیره کند. توانایی سلف برای ذخیره انرژی ضریب خود القایی گفته می شود و واحد آن نیز هانری می باشد.

یک سلف ایده آل دارای خود القایی است، اما مقاومت اهمی و خاصیت خازنی نداشته و انرژی را نیز تلف نمی کند. یک سلف واقعی را می توان معادل ترکیبی از مقداری خود القایی، مقداری مقاومت اهمی ناشی از مقاومت سیم و کمی نیز خاصیت خازنی در نظر گرفت. در یک فرکانس خاص که معمولاً خیلی بالاتر از فرکانس کار سلف قرار دارد، یک سلف واقعی رفتاری به مانند یک مدار رزونانس خواهد داشت. ( این حالت ناشی از خاصیت خازنی موجود در سلف می باشد ). سلف های دارای هسته مغناطیسی علاوه بر اتلاف انرژی در مقاومت اهمی سیم، ممکن است مقداری تلفات نیز در هسته خود داشته باشند که آن را تلفات هیسترزیس می نامند. همچنین در جریان های زیاد به دلیل غیر خطی بودن، ممکن است تقاوت های دیگری را نیز در مقایسه با رفتار یک سلف ایده ایده آل از خود نشان دهد.

نمونه هایی از سلف

بقیه و متن مکامل در ادامه مطالب....

ساختمان ترانسفورماتور

66

ساختمان ترانسفورماتور

ساختمان ترانسفورماتور

ترانسفورماتور ها را با توجه به كاربرد و خصوصيات آنها به سه دسته كوچك متوسط و بزرگ دسته بندي كرد. ساختن ترانسفورماتور هاي بزرگ و متوسط به دليل مسايل حفاظتي و عايق بندي و امكانات موجود ، كار ساده اي نيست ولي ترانسفورماتور هاي كوچك را مي توان بررسي و يا ساخت. براي ساختن ترانسفورماتور هاي كوچك ، اجزاي آن مانند ورقه آهن ، سيم و قرقره را به سادگي مي توان تهيه نمود.

اجزاي تشكيل دهنده يك ترانسفورماتور به شرح زير است؛

هسته ترانسفورماتور :

هسته ترانسفورماتور متشكل از ورقه هاي نازك است كه سطح آنها با توجه به قدرت ترانسفورماتور ها محاسبه مي شود. براي كم كردن تلفات آهني هسته ترانسفورماتور را نمي توان به طور يكپارچه ساخت. بلكه معمولا آنها را از ورقه هاي نازك فلزي كه نسبت به يكديگر عايق‌اند، مي سازند. اين ورقه ها از آهن بدون پسماند با آلياژي از سيليسيم (حداكثر 4.5 درصد) كه داراي قابليت هدايت الكتريكي و قابليت هدايت مغناطيسي زياد است ساخته مي شوند.

بقیه و متن کامل در ادامه مطالب...

قوس الكتريكي چيست؟

44

قوس الكتريكي چيست؟

قوس الكتريكي چيست؟

تاريخچه

در سال 1802 پتروف (V.P.Petrof) كشف كرد كه اگر دو تكه زغال چوب را به قطب هاي باتري بزرگي وصل كنيم و آنها را به هم تماس دهيم و سپس كمي از هم جدا كنيم شعله روشني بين دو تكه زغال ديده مي شود. و انتهاي آنها كه از شدت گرما سفيد شده است نور خيره كننده اي گسيل مي دارد. قوس الكتريكي هفت سال بعد ديوي (H.Davy) فيزيكدان انگليسي اين پديده را مشاهده نمود و پيشنهاد كرد كه اين پديده به احترام ولتا قوس ولتا ناميده شود.

آزمايش ساده

اگر بخواهيم در يك روش ساده اي ايجاد قوس الكتريكي را نشان دهيم بايد دو تكه كربن را روي گيره قابل تنظيم سوار نمود (بهتر است كه به جاي زغال چوب معمولي ميله خاصي كه از كربن قوس ساخته مي شود و با فشار دادن مخلوط گرافيت ، كربن سياه و مواد چسبنده به وجود مي آيند، استفاده شود).

چشمه جريان مي تواند برق شهر هم باشد براي اجتناب ازاينكه در لحظه تماس تكه هاي كربن مدار كوتاه ايجاد شود بايد رئوستايي به طور متوالي به قوس وصل شود.

معمولا برق شهر با جريان متناوب تغذيه مي شود. ولي در صورتي كه جريان مستقيم از آن عبور كند قوس پايدارتر است به طوري كه يكي از الكترودها هميشه مثبت «آند)و ديگري همواره منفي «كاتد)است.

بقیه و متن کامل در ادامه مطالب....

انرژي الكتريكي چيست ؟

64

انرژي الكتريكي چيست ؟

انرژي الكتريكي چيست ؟

ميدانيم كه هر ماده از تعداد بسيار اتم تشكيل شده است كه هر اتم نيز از سه قسمت 1-نوترون 2- پروتن 3-الكترون تشكليل شده است تعداد الكترونها با تعداد پروتنها در حالت عادي (خنثي) برابر است الكترون داراي بار منفي و پروتن داراي بار مثبت ميباشند كه الكترونها به دور(( پروتن و نوترون )) (هسته اتم) با سرعت بسيار زيادي ميچرخند در اثر اين چرخش نيروي گريز از مركزي بوجود مي آيد كه مقدار اين نيرو با مقدار نيروي جاذبه بين الكترونها و هسته برابر است پس اين برابري نيرو الكترونها را در حالت تعادل نگه ميدارد و نميگذارد كه از هسته دور شوند .

يك سيم مسي هم داراي تعداد زيادي اتم و در نتيجه الكترون است هر گاه ما بتوانيم توسط يك نيرويي الكترونهاي در حال چرخش به دور هسته را از مدار خود خارج كنيم و در يك جهت معين به حركت در آوريم جريان الكتريكي برقرار ميشود.

پس اين نكته را دريافتيم كه جريان برق چيزي جز حركت الكترونها نيست البته اين حركت بصورت انتقالي انجام ميشود يعني يك اتم تعدادي الكترون به اتم كناري خود ميدهد و اتم كناري نيز به همين ترتيب تعدادي الكترون به اتم بعدي ميدهد و بدين صورت جريان برقرار ميشود. پس هر گاه كه ميگوئيم جريان برق كم يا زياد است يعني تعداد الكترونهايي كه در مسير سيم در حال حركت هستند كم يا زياد است .

نيروهايي كه باعث جدا شدن الكترون از هسته ميشوند:

1- نيروي مغناطيسي خارجي

هرگاه يك سيم را در يك ميدان مغناطيسي حركت دهيم نيروي اين ميدان باعث حركت الكترونهاي سيم ميشود .

بقیه ومتن کامل در ادامه مطالب..

کليد هاي قدرت

57

کليد هاي قدرت

کليد هاي قدرت

کليد هاي قدرت به دو دسته تقسيم ميشوند :

۱) کليد بدون قابليت قطع زير بار (_____ونر)

۲) کليد با قابليت قطع زير بار ( دژنکتور)

▪ _____ونر :

_____ونر بايد در حالت بسته يک ارتباط گالوانيکي محکم و مطمئن در کنتاکت هر قطب برقرار مي سازد و مانع افت ولتاز مي شود.لذا بايد مقاومت عبور جريان در محدوده _____ونر کوچک باشد تا حرارتي که در اثر کار مداوم در کليد ايجاد ميشود از حد مجاز تجاوز نکند .اين حرارت توسط ضخيم کردن تيغه و بزرگ کردن سطح تماس در کنتاکت و فشار تيغه در کنتاکت دهنده کوچک نگهداشته مي شود .در ضمن موقع بسته بودن کليد نيروي ديناميکي شديدي که در اثر عبور جريان اتصال کوتاه بوجود مي آيد .باعث لرزش تيغه يا احتمالاباز شدن آن نگردد.از اين جهت در موقع شين کشي و نصب _____ونر دقت بايد کرد تا تيغه _____ونر در امتداد شين قرار گيرد .بدين وسيله از ايجاد نيروي ديناميکي حوزه الکترومغناطيسي جريان اتصال کوتاه جلوگيري بعمل آيد.

▪ موارد استعمال _____ونر:

بقیه و متن کامل در ادامه مطالب...

کاربرد کامپوزيت در صنعت برق و الکترونيک

17

کاربرد کامپوزيت در صنعت برق و الکترونيک

کاربرد کامپوزيت در صنعت برق و الکترونيک

حدود ۲۰ سال است که کامپوزيت هاي پليمري تقويت شده با الياف FRP در کاربرد هاي الکتريکي مصرف مي شوند . اين مواد در ساخت قطعات گوناگون صنعت برق به کار مي روند ؛ از جمله لوله هاي عبور کابل ، سيستم هاي حمل کابل در تونل ها و پل ها ، تيرهاي انتقال برق ، بازوهاي عرضي ( کراس آرم ها ) ، مقره ها ، برج هاي ارتباطي و جز آن .

● لوله کامپوزيت ي عبور کابل

يکي از موارد کاربرد کامپوزيت در صنعت برق ، ساخت لوله هاي عبور کابل است . لوله هاي پليمري تقويت شده با الياف شيشه GRP را مي توان در ترکيب با اتصالات و متعلقات ويژه اي به کاربرد و آن ها را به شکل يک سيستم عبور کابل چندلايه و چند رديفي شکل داد . اين لوله ها براي کابل هاي شبکه برق شهري و کابل هاي مخابراتي زيرزميني مورد استفاده قرار مي گيرند . علاوه بر اين در موارد زير نيز کاربرد دارند :

۱) براي کابل هايي که از زير ريل جرثقيل هاي سقفي و يا راه هاي اصلي شهري عبور مي کنند .

بقیه و متن کامل در ادامه مطالب...

تابلو روان و آموزش تابلو روان و ساعت مسجد

12

تابلو روان و آموزش تابلو روان و ساعت مسجد

تابلو روان و آموزش تابلو روان و ساعت مسجد

برگرفته از سايت www.tabloravan.net
09137544711

اين تابلو ها از بلوکهاي :

- ماتريس LED

- درايورهاي سطر و ستون

- پردازنده

- تجهيزات ورود اطلاعات

- حافظه

تشکيل شده‌اند.

در واقع يک تابلو ي نمايشگر ديجيتالي، متن مورد نظر خود را از طريق تجهيزات ورودي همچون کيبورد و يا پورت سريال دريافت ميکند. و اين اطلاعات را در اختيار پردازنده قرار ميدهد. سپس پردازنده پس از آناليز اطلاعات آن را در حافظه تابلو ذخيره نموده. علاوه بر آن حافظه موجود در تابلو ميتواند کدهاي برنامه را در خود نگهداري نمايد. از طرفي پردازنده با توجه به اطلاعات ذخيره شده، سيگنالهاي لازم را جهت نمايش توليد کرده و در اختيار درايورها قرار ميدهد. با توجه به اينکه نحوه چيدمان LED ها در نمايشگر بنا به دلايلي که بعدا توضيح داده خواهد شد به صورت ماتريسي مي باشد، لذا دو دسته درايور براي راه اندازي ماتريس نياز است که شامل داريورهاي سطر و داريورهاي ستون ميياشند. اين درايورها با توجه به فرامين دريافتي از سوي پردازنده، با روشن و خاموش نگاه داشتن LED هاي موجود در ماتريس، باعث به نمايش در آمدن مطالب (اعم از متن و يا تصوير) بر روي ماتريس خواهند شد.

بقیه و متن کامل در ادامه مطالب...

آموزش ساخت نمايشگر ليزري

907

آموزش ساخت نمايشگر ليزري

در اين قسمت با يک مدار ساره جهت نمايشگر ليزري(Show Laser) و همچنين در مدارمکمل آن با کنترل PWM موتور DC جهت show laser نيز آشنا مي شويد.همچنين سعي کرده ايم مداري ساده جهت کنترل دور موتور براي laser show را به شما نشان دهم.که در زير به توضيحات مربوط به هر قسمت خواهيم پرداخت. اين نمايشگر ليزري از يک بخش مکانيکي و يک بخش الکترونيکي تشکيل شده است .

● کنترل PWM موتور(کنترل سرعت موتور)

از اين مدار جهت کنترل فن نيز مي توانيد استفاده کنيد.اگر مي خواهيد از اين مدار در يک فاصله زماني طولاني و مداوم استفاده کنيد براي ترانزيستور هاي قدرت BD ۱۴۰ از خنک کننده يا heat sink براي هر دو ترانزيستور استفاده کنيد.

ترانزيستور BD۱۴۰ يک ترانزيستور قدرت PNP يا مثبت است.که با توجه به ساختار آن زماني اين ترانزيستور فعال مي شود که بيس آن زمين يا داراي ولتاژ صفر شود.براي روشن شدن تکليف اين ترانزيستور در زماني که بيس آن با زمين تحريک نشده است.بيس آن را با يک مقاومت ۴۷ کيلو اهم به مثبت ولتاژ متصل نماييد.

بقیه و متن کامل در ادامه مطالب...

OTDR مخفف عبارت Optical time-domain reflectometer  که به معنی بازتاب سنج  نوری است که در محدوده زمانی کار می کند و برای عیب یابی در شبکه های لیزری مورد استفاده قرار می گیرد .

نمونه ای از انواع OTDR

OTDR یک سری پالس های نوری را به داخل شبکه فیبری تزریق می نماید و همچنین انتهای شبکه فیبر نوری را از طریق شکست نوری تشخیص می دهد .

این دستگاه از این طریق می تواند امپدانس کابل در حال تست را اندازه گیری نماید ، توان پالس های بازگشتی محاسبه می شوند و جمع می شوند و به صورت بازه ای از زمان در طول فیبر نوری برای ما به صورت نمودار ترسیم می شوند .

از طریق یک دستگاه OTDR می شود طول و تضعیف یک فیبر نوری (شامل تکه های فیوژن شده و سر کابل ها )را محاسبه کرد .

 از طریق یک دستگاه OTDR می شود ایرادات ، از قبیل پارگی ها ، و تلفات توان فیبر را دید و محل آن را مشخص کرد .

بقیه و متن کامل مقاله در ادامه مطالب....

	زبان: فارسی		نویسنده: مزدک تیمور تاشلو - محمد مهدی فاتح
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات:		ناشر: علم عامل پیشرفت
	حجم کتاب:  13مگابایت

کتاب:
 

حل و مسائل:

/گستره نانو/ تشخیص بوهای مختلف با استفاده از بینی الکترونیکی محقق شد

بقیه در ادامه مطلب...

Multiplexer

Schematic of a 2-to-1 Multiplexer. It can be equated to a controlled switch.

Schematic of a 1-to-2 Demultiplexer. Like a multiplexer, it can be equated to a controlled switch.

In electronics, a multiplexer or mux is a device that selects one of several analog or digital input signals and forwards the selected input into a single line. A multiplexer of 2ⁿ inputs has n select lines, which are used to select which input line to send to the output.

In [Digital Logic], a "Multiplexer" converts multiple input to a single output.

An electronic multiplexer makes it possible for several signals to share one device or resource, for example one A/D converter or one communication line, instead of having one device per input signal.

On the other end, a demultiplexer (or demux) is a device taking a single input signal and selecting one of many data-output-lines, which is connected to the single input. A multiplexer is often used with a complementary demultiplexer on the receiving end.

An electronic multiplexer can be considered as a multiple-input, single-output switch, and a demultiplexer as a single-input, multiple-output switch. The schematic symbol for a multiplexer is an isosceles trapezoid with the longer parallel side containing the input pins and the short parallel side containing the output pin. The schematic on the right shows a 2-to-1 multiplexer on the left and an equivalent switch on the right. The sel wire connects the desired input to the output.

• 1 Telecommunications
• 2 Cost savings
• 3 Digital multiplexers
  • 3.1 Chaining multiplexers
  • 3.2 List of ICs which provide multiplexing
• 4 Digital demultiplexers
  • 4.1 List of ICs which provide demultiplexing
• 5 Multiplexers as PLDs
• 6 See also
• 7 References
• 8 Further reading

بقیه و متن کامل در ادامه مطالب...

Transistor–transistor logic

A Motorola 68000-based computer with various TTL chips mounted on protoboards.

Transistor–transistor logic (TTL) is a class of digital circuits built from bipolar junction transistors (BJT) and resistors. It is called transistor–transistor logic because both the logic gating function (e.g., AND) and the amplifying function are performed by transistors (contrast this with RTL and DTL).

TTL is notable for being a widespread integrated circuit (IC) family used in many applications such as computers, industrial controls, test equipment and instrumentation, consumer electronics, synthesizers, etc. The designation TTL is sometimes used to mean TTL-compatible logic levels, even when not associated directly with TTL integrated circuits, for example as a label on the inputs and outputs of electronic instruments.^[1]

• 1 History
• 2 Implementation
  • 2.1 Fundamental TTL gate
  • 2.2 TTL with a "totem-pole" output stage
• 3 Interfacing considerations
• 4 Packaging
• 5 Comparison with other logic families
• 6 Sub-types
• 7 Applications
  • 7.1 Analog applications
• 8 See also
• 9 Notes
• 10 References
• 11 External links

بقیه و متن کامل مقاله در ادامه مطالب....

CMOS

CMOS inverter (NOT logic gate)

Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) ( /ˈsiːmɒs/) is a technology for constructing integrated circuits. CMOS technology is used in microprocessors, microcontrollers, static RAM, and other digital logic circuits. CMOS technology is also used for several analog circuits such as image sensors, data converters, and highly integrated transceivers for many types of communication. Frank Wanlass patented CMOS in 1967 (US patent 3,356,858).

CMOS is also sometimes referred to as complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (or COS-MOS^[1]). The words "complementary-symmetry" refer to the fact that the typical digital design style with CMOS uses complementary and symmetrical pairs of p-type and n-type metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) for logic functions.

Two important characteristics of CMOS devices are high noise immunity and low static power consumption. Significant power is only drawn when the transistors in the CMOS device are switching between on and off states. Consequently, CMOS devices do not produce as much waste heat as other forms of logic, for example transistor-transistor logic (TTL) or NMOS logic. CMOS also allows a high density of logic functions on a chip. It was primarily for this reason that CMOS became the most used technology to be implemented in VLSI chips.

The phrase "metal–oxide–semiconductor" is a reference to the physical structure of certain field-effect transistors, having a metal gate electrode placed on top of an oxide insulator, which in turn is on top of a semiconductor material. Aluminum was once used but now the material is polysilicon. Other metal gates have made a comeback with the advent of high-k dielectric materials in the CMOS process, as announced by IBM and Intel for the 45 nanometer node and beyond.^[2]

• 1 Technical details
• 2 Composition
• 3 Inversion
  • 3.1 Duality
  • 3.2 Logic
  • 3.3 Example: NAND gate in physical layout
• 4 Power: switching and leakage
• 5 Analog CMOS
• 6 Temperature range
• 7 See also
• 8 References
• 9 Further reading
• 10 External links

بقیه و متن کامل در ادامه مطالب...

Flip-flop (electronics)

An RS latch, constructed from a pair of cross-coupled NOR gates. Red and black mean logical '1' and '0', respectively.

In electronics, a flip-flop or latch is a circuit that has two stable states and can be used to store state information. The circuit can be made to change state by signals applied to one or more control inputs and will have one or two outputs. Flip-flops and latches are a fundamental building block of digital electronics systems used in computers, communications, and many other types of systems.

Flip-flops and latches are used as data storage elements. Such data storage can be used for storage of state, and such a circuit is described as sequential logic. When used in a finite-state machine, the output and next state depend not only on its current input, but also on its current state (and hence, previous inputs.) It can also be used for counting of pulses, and for synchronizing variably-timed input signals to some reference timing signal.

Flip-flops can be either simple (transparent or opaque) or clocked (synchronous or edge-triggered); the simple ones are commonly called latches.^[1] The word latch is mainly used for storage elements, while clocked devices are described as flip-flops.^[2]

• 1 History
• 2 Implementation
• 3 Flip-flop types
  • 3.1 Simple set-reset latches
    • 3.1.1 SR NOR latch
    • 3.1.2 SR NAND latch
    • 3.1.3 JK latch
  • 3.2 Gated latches and conditional transparency
    • 3.2.1 Gated SR latch
    • 3.2.2 Gated D latch
    • 3.2.3 Earle latch
  • 3.3 D flip-flop
    • 3.3.1 Classical positive-edge-triggered D flip-flop
    • 3.3.2 Master–slave pulse-triggered D flip-flop
    • 3.3.3 Edge-triggered dynamic D flip-flop
  • 3.4 T flip-flop
  • 3.5 JK flip-flop
• 4 Metastability
• 5 Timing considerations
  • 5.1 Setup and hold times
  • 5.2 Propagation delay
• 6 Generalizations
• 7 See also
• 8 References

بقیه و متن کامل مقاله در ادامه مطالب...

MOSFET

Two power MOSFETs in the surface-mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up to about 100 watts and controlling a load of over 2000 watts. A matchstick is pictured for scale.

A cross section through an nMOSFET when the gate voltage V_GS is below the threshold for making a conductive channel; there is little or no conduction between the terminals source and drain; the switch is off. When the gate is more positive, it attracts electrons, inducing an n-type conductive channel in the substrate below the oxide, which allows electrons to flow between the n-doped terminals; the switch is on.

Simulation result for formation of inversion channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V.

The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a transistor used for amplifying or switching electronic signals. The basic principle of this kind of transistor was first proposed by Julius Edgar Lilienfeld in 1925. In MOSFETs, a voltage on the oxide-insulated gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called source and drain. The channel can be of n-type or p-type (see article on semiconductor devices), and is accordingly called an nMOSFET or a pMOSFET (also commonly nMOS, pMOS). It is by far the most common transistor in both digital and analog circuits, though the bipolar junction transistor was at one time much more common.

The 'metal' in the name is now often a misnomer because the previously metal gate material is now often a layer of polysilicon (polycrystalline silicon). Aluminium had been the gate material until the mid 1970s, when polysilicon became dominant, due to its capability to form self-aligned gates. Metallic gates are regaining popularity, since it is difficult to increase the speed of operation of transistors without metal gates.

IGFET is a related term meaning insulated-gate field-effect transistor, and is almost synonymous with MOSFET, though it can refer to FETs with a gate insulator that is not oxide. Another synonym is MISFET for metal–insulator–semiconductor FET.

• 1 Composition
• 2 Circuit symbols
• 3 MOSFET operation
  • 3.1 Metal–oxide–semiconductor structure
  • 3.2 MOSFET structure and channel formation
  • 3.3 Modes of operation
  • 3.4 Body effect
• 4 History
• 5 CMOS circuits
  • 5.1 Digital
  • 5.2 Analog
• 6 MOSFET scaling
  • 6.1 Reasons for MOSFET scaling
  • 6.2 Difficulties arising due to MOSFET size reduction
    • 6.2.1 Higher subthreshold conduction
    • 6.2.2 Increased gate-oxide leakage
    • 6.2.3 Increased junction leakage
    • 6.2.4 Lower output resistance
    • 6.2.5 Lower transconductance
    • 6.2.6 Interconnect capacitance
    • 6.2.7 Heat production
    • 6.2.8 Process variations
    • 6.2.9 Modeling challenges
• 7 MOSFET construction
  • 7.1 Gate material
  • 7.2 Insulator
  • 7.3 Junction design
• 8 Other MOSFET types
  • 8.1 Dual gate MOSFET
    • 8.1.1 FinFET
  • 8.2 Depletion-mode MOSFETs
  • 8.3 NMOS logic
  • 8.4 Power MOSFET
  • 8.5 DMOS
  • 8.6 RHBD MOSFETs
• 9 MOSFET analog switch
  • 9.1 Single-type MOSFET switch
  • 9.2 Dual-type (CMOS) MOSFET switch
• 10 References and notes
• 11 See also
• 12 External links

بقیه و متن کامل مقاله در ادامه مطالب...

Logic gate

A logic gate is an idealized or physical device implementing a Boolean function, that is, it performs a logical operation on one or more logic inputs and produces a single logic output. Depending on the context, the term may refer to an ideal logic gate, one that has for instance zero rise time and unlimited fan-out, or it may refer to a non-ideal physical device.^[1] (see Ideal and real op-amps for comparison)

Logic gates are primarily implemented electronically using diodes or transistors, but can also be constructed using electromagnetic relays (relay logic), fluidic logic, pneumatic logic, optics, molecules, or even mechanical elements. With amplification, logic gates can be cascaded in the same way that Boolean functions can be composed, allowing the construction of a physical model of all of Boolean logic, and therefore, all of the algorithms and mathematics that can be described with Boolean logic.

• 1 Background
• 2 Logic gates
• 3 Symbols
• 4 Universal logic gates
• 5 De Morgan equivalent symbols
• 6 Data storage
• 7 Three-state logic gates
• 8 Miscellaneous
• 9 History and development
• 10 Implementations
• 11 See also
• 12 References
• 13 Further reading
• 14 External links

بقیه و متن کامل مقاله در ادامه مطالب...

Integrated circuit

Integrated circuit of Atmel Diopsis 740 System on Chip showing memory blocks, logic and input/output pads around the periphery

Microchips (EPROM memory) with a transparent window, showing the integrated circuit inside. Note the fine silver-colored wires that connect the integrated circuit to the pins of the package. The window allows the memory contents of the chip to be erased, by exposure to strong ultraviolet light in an eraser device.

An integrated circuit or monolithic integrated circuit (also referred to as IC, chip, and microchip) is an electronic circuit manufactured by diffusion of trace elements into the surface of a thin substrate of semiconductor material.

Integrated circuits are used in virtually all electronic equipment today and have revolutionized the world of electronics. Computers, cellular phones, and other digital appliances are now inextricable parts of the structure of modern societies, made possible by the low cost of production of integrated circuits.

• 1 Introduction
• 2 Terminology
• 3 Invention
• 4 Generations
  • 4.1 SSI, MSI and LSI
  • 4.2 VLSI
  • 4.3 ULSI, WSI, SOC and 3D-IC
• 5 Advances in integrated circuits
• 6 Classification
• 7 Manufacturing
  • 7.1 Fabrication
  • 7.2 Packaging
  • 7.3 Chip labeling and manufacture date
• 8 Legal protection of semiconductor chip layouts
• 9 Other developments
• 10 Silicon labelling and graffiti
• 11 Notable ICs and IC families
• 12 See also
• 13 References
• 14 Further reading
• 15 External links

بقیه و  متن کامل مقاله در ادامه مطالب....

یک نمونه مدار مجتمع از اتمل

تَراشه یا مدار مجتمع (که برابر فارسی chip یا آی‌سی: IC یا Integrated circuit به زبان انگلیسی است) به مجموعه‌ای از مدارات الکترونیکی اطلاق می‌گردد که با استفاده از مواد نیمه‌رسانا (عموماً سیلیکون همراه با میزان کنترل شده‌ای ناخالصی) در ابعادی کوچک (معمولاً کمتر از یک سانتی متر مربع) ساخته می‌شود. این مدارات معمولاً شامل دو یا سه نوع دستگاه الکترونیکی می‌باشند: مقاومت، خازن و ترانزیستور (مهم‌ترین آنها ترنزیستور می‌باشد). هر تراشه معمولاً حاوی تعداد بسیار زیادی ترانزیستور می‌باشد که با استفاده از فناوری پیچیده‌ای در داخل یک لایه از سیلیکن همگون و با ضخامتی یکنواخت و بدون ترک تزریق شده‌اند. امروزه تراشه‌ها در اکثر دستگاه‌های الکترونیکی و بویژه رایانه‌ها در ابعادی گسترده بکار می‌روند. وجود تراشه‌ها مرهون کشفیات بشر درباره نیمه رساناها و پیشرفتهای سریع پیرامون آنها در میانه‌های سده بیستم می‌باشد.

مدارات مجتمعی که شامل ترانزیستورهای دوقطبی (BJT: Bi Junction Transistor) باشند را با نام Transistor Transistor Logic) TTL) و مدارات مجتمعی که شامل ترانزیستورهای NMOS و PMOS هستند را(Cmos(Complementry Metal Oxide Semiconductorمینامند.ترکیب این دو تکنولوژی را با نام BiCmos می‌شناسند. در مقابل مدارهای مجتمع، مدارهای گسسته وجود دارند که شامل قطعاتی مجزا هستند که به هم روی یک برد متصل شده‌اند.

در ساخت ICها طراحان سعی می‌کنند تا حد امکان از ترانزیستور استفاده کنند. مثلاً بجای خازن از از ترانزیستور در بایاس معکوس استفاده می‌کنند. و یا در جایی دیگر که مقاومت بزرگی نیاز دارند مثلاً در حد مگا اهم باز از ترانزیستور استفاده می‌کنند.چون در حجمی که مقاومت می‌گیرد می‌توان چند ترانزیستور جای داد.

بعضی از ICها به گونه‌ای از لایه‌های سیلیکون بهره می‌برند که می‌توانند حتی به عنوان حافظه مورد استفاده قرار گیرند نمونه‌ای از این ICها PROM نام دارد (حافظهٔ قابل برنامه‌ریزی فقط‌خواندنی: Programmable Read Only Memory) همانگونه که از اسم این نوع تراشه معلوم است فقط اطلاعات آن قابل خواندن است و امکان تغییرات در آن وجود ندارد از این نوع ای سی برای مدارات اصلی کامپیوتر نیز استفاده می‌شود همان قسمت از حافظه که به آن ROM نیز می‌گویند.

بقیه و متن کامل مقاله در ادامه مطالب...

خانواده مدارهاي مجتمع ديجيتال

مدارهاي ديجيتال بلااستثناء با آي سي ها ساخته مي شوند . گيت هاي آي سي ديجيتال نه تنها بر اساس عمل منطقي شان بلكه با توجه به خانواده اي از مدارهاي منطقي كه به آنها تعلق دارند نيز دسته بندي مي شوند .

هر خانواده منطقي داراي مدار الكترونيكي پايه مختص به خود بوده و ساير توابع و مدارات پيچيده ديجيتال با استفاده از آنها ساخته مي شوند. مدار پايه در هر خانواده ، گيت NAND يا NOR است . قطعات الكترونيك به كار رفته در ساختمان مدارات پايه معمولأ جهت نام گذاري خانواده منطقي بكار مي روند . انواع متفاوتي از خانواده هاي آيسي هاي ديجيتال در بازار موجودند كه مشهورترين آنها در زير ليست شده اند:

Trar sistor-transistor logic : TTL
ECL : Emitter-coupled logic
MOS : Metal-oxide semiconductor
CMOS : Complementary metal-oxide semiconductor

TTL كه امروزه متداول ترين خانواده مي باشد بطور گسترده اي در توليد انواع توابع ديجيتال بكار گرفته شده است .

ECL در سيستم هاييكه نياز به سرعت بالا دارند بكار مي روند.

MOS و IIL در مدارهايي كه مستلزم چگالي قطعه بالايي هستند و CMOS در مواقعي كه توان مصرفي سيستم پايين باشد مورد استفاده مي شود .

چون ساخت ترانزيستور در خانواده MOS و IIL داراي چگالي بالايي است لذا اين دو خانواده اغلب در توابع LSI بكار مي روند . سه خانواده ديگر ،TTL ،ECL ، CMOSداراي قطعات LSI بوده و همچنين تعداد زيادي از قطعات MSIو SSI نيز از آنها استفاده مي شوند. قطعات SSI عبارتند از تعداد قليلي گيت ها يا مدارات فليپ فلاپ در يك بسته آي سي .

محدوديت در تعداد مدارهاي قطعات SSI در حقيقت تعداد پايه هاي بسته بندي است . مثلأ يك بسته چهارده پايه تنها مي تواند چهار گيت دو ورودي را در خود جاي دهد زيرا هر گيت نياز به سه پايه دارد كه دو تاي آنها متعلق به ورودي و سومي متعلق به خروجي است . جمع اين پايه ها براي چهار گيت دوازده خواهد بود . و دو پايه باقي مانده ، مورد نياز تغذيه مدار مي باشند .

آي سي هاي TTL معمولأ با سري شماره هاي 5400 و 7400 شناخته مي شوند . نوع اول محدوده گرمايي گسترده تري در عمل دارند و براي صنايع نظامي مناسبند ، و گروه دوم داراي محدوده گرمايي كمتري بوده ودر صنعت بكار مي روند . سري 7400 بدان معني است كه بسته بندي ها با اعداد 7400 ،4701 و 7402 شماره گذاري مي شوند . برخي از سازندگان ، TTL ها را با شماره هاي متفاوت ديگري مانند سري 9000 و 8000 در دسترس قرار مي دهند .

 منبع:سپیده مهر الحسنی

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات:		ناشر: علم عامل پیشرفت
	حجم کتاب: 392.45 کیلو بایت

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات:		ناشر: علم عامل پیشرفت
	حجم کتاب: 529.92 کیلو بایت

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات:		ناشر: علم عامل پیشرفت
	حجم کتاب: kb 164.72

www.datasheetcatalog.org/datasheet/texasinstruments/ua741.pdf

Part Name	Description	Manufacturer	Download
2502S	ATmega8535 pdf		Download
2512S	ATmega8515 pdf		Download
2514S	ATmega169 pdf		Download
2548S	ATmega406 pdf		Download
2552S	ATmega329 3290 649 6490 pdf		Download
2570S	ATmega325 3250 645 6450 pdf		Download
2573S	ATmega165 pdf		Download
2593S	ATmega644 pdf		Download
7647S	ATmega16 32 64 M1 C1 pdf		Download
7735S	ATmega169P Automotive Summary pdf		Download
7766S	ATmega16U4 ATmega32U4 pdf		Download
8011S	ATmega164P 324P 644P pdf		Download
8018S	ATmega169P pdf		Download
8019S	ATmega169 pdf		Download
8021S	ATmega329P 3290P Summary Datasheet pdf		Download
8023S	ATmega325P 3250P Summary Datasheet pdf		Download
8024S	ATmega8HVA 16HVA pdf		Download
8025S	ATmega48 88 168 pdf		Download
8042S	ATmega16HVB 32HVB pdf		Download
8052S	ATmega4HVD 8HVD pdf		Download
8059S	ATmega164P 324P 644P pdf		Download
8155S	ATmega32A pdf		Download
ATmega128	ATmega128 pdf		Download
ATmega16	ATmega16 32 64 M1 C1 pdf		Download
ATmega16	ATmega16 pdf		Download
ATmega16	ATmega16 pdf		Download
ATmega162	ATmega162 pdf		Download
ATmega164	ATmega164 324 644 pdf		Download
ATmega164	ATmega164 324 644 pdf		Download
ATmega164P	ATmega164P 324P 644P pdf		Download
ATmega164P	ATmega164P 324P 644P pdf		Download
ATmega164P	ATmega164P ATmega324P ATmega644P pdf		Download
ATmega164P	ATmega164P 324P 644P pdf		Download
ATmega166	ATmega166 pdf		Download
ATmega169	ATmega169 pdf		Download
ATmega169	ATmega169 pdf		Download
ATmega169	ATmega169 pdf		Download
ATmega169	ATmega169 pdf		Download
ATmega169P	ATmega169P Automotive Summary pdf		Download
ATmega169P	ATmega169P pdf		Download
ATmega169P	ATmega169P Automotive pdf		Download
ATmega169P	ATmega169P pdf		Download
ATmega16HVB	ATmega16HVB 32HVB pdf		Download
ATmega16U4	ATmega16U4 ATmega32U4 pdf		Download
ATmega16U4	ATmega16U4 ATmega32U4 pdf		Download
ATmega32	ATmega32 pdf		Download
ATmega325	ATmega325 3250 645 6450 pdf		Download
ATmega325P	ATmega325P 3250P Summary Datasheet pdf		Download
ATmega325P	ATmega325P 3250P Datasheet pdf		Download
ATmega329	ATmega329 3290 649 6490 pdf		Download
ATmega329P	ATmega329P 3290P Summary Datasheet pdf		Download
ATmega329P	ATmega329P 3290P pdf		Download
ATmega32A	ATmega32A pdf		Download
ATmega32A	ATmega32A pdf		Download
ATmega32C1	ATmega32C1 M1, ATmega64C1 M1 pdf		Download
ATmega406	ATmega406 pdf		Download
ATmega48	ATmega48 88 168 pdf		Download
ATmega48	ATmega48 88 168 pdf		Download
ATmega48	ATmega48 88 168 - Appendix A - 105ºC Extended pdf		Download
ATmega48	ATmega48 88 168 - Appendix A - 105ºC Extended pdf		Download
ATmega48	ATmega48 88 168 pdf		Download
ATmega4HVD	ATmega4HVD 8HVD pdf		Download
ATmega4HVD	ATmega4HVD 8HVD pdf		Download
ATmega64	ATmega64 pdf		Download
ATmega640	ATmega640 1280 1281 2560 2561 pdf		Download
ATmega644	ATmega644 pdf		Download
ATmega8	ATmega8 pdf		Download
ATmega8515	ATmega8515 pdf		Download
ATmega8515	ATmega8515 pdf		Download
ATmega8535	ATmega8535 pdf		Download
ATmega8535	ATmega8535 pdf		Download
ATmega8HVA	ATmega8HVA 16HVA pdf		Download

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات:		ناشر: علم عامل پیشرفت
	حجم کتاب: 7.65مگابایت

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات:		ناشر: علم عامل پیشرفت
	حجم کتاب: 7.76مگابایت

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات:		ناشر: علم عامل پیشرفت
	حجم کتاب: 523.72 کیلو بایت

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات:		ناشر: علم عامل پیشرفت
	حجم کتاب: 647.21 کیلو بایت

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات:		ناشر: علم عامل پیشرفت
	حجم کتاب: 5.55 مگابایت

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات:		ناشر: علم عامل پیشرفت
	حجم کتاب: 171 کیلو بایت

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات:		ناشر: علم عامل پیشرفت
	حجم کتاب: 180 کیلو بایت

در سال 1956 گوردون مور بنيان‌گذار اينتل تحليلي ارايه كرد كه بر طبق آن هر 18 ماه تعداد ترانزيستورهاي بكار رفته در ريزپردازهاي اينتل دو برابر مي شود كه نصف شدن ابعاد گيت ترانزيستورها با شرط ثابت بودن اندازه تراشه سيليكوني در آن مي‌تواند نتيجه اين قوانين باشد.

بقیه و متن کامل مقاله در ادامه مطالب...

فناوری که امروزه ما آن را به نام Touch Screen و یا صفحه نمایش های لمسی می شناسیم نخستین بار در سال 1971 و در مرکز تحقیقات دانشگاه کنتاکی آمریکا پا در عرصه وجود گذاشت جائیکه دکتر Samuel Hurst در جریان کار بروی رساله های پایان نامه دانشجویان این مرکز بعلت عملیات وقت گیری که بررسی داده های مختلف به همراه داشت با اختراع اولین حس گر لمسی به روش ساده تری برای ورود اطلاعات دست یافت این حس گر که دکتر هرست آن را Elograph نامید (Electronics Graphics) به مانند نمونه های امروزی شفاف و حساس نبود ولی بعدها پایه ای برای تاسیس شرکتی تحت نام Elographics برای کار بروی این تکنولوژی نوظهور گردید. سه سال بعد نمونه شفاف این تکنولوژی در سال 1974 ارائه شد و در سال 1977 شرکت Elographics موفق به ساخت نمونه شفاف مقاومتی پنج سیمه (5-Wire resistive) شد که تا به امروز نیز یکی از کارامد ترین روش های ساخت صفحه نمایش های لمسی به حساب می آید.
در مجموع سه روش مشخص برای ساخت صفحات لمسی وجود دارد که در یک نگاه گذرا عبارتند از صفحات لمسی مقاومتی، صفحات خازنی و نمونه های مبتنی بر اشعه مادون قرمز که در ادامه به بررسی هر کدام از این سه روش می پردازیم:



1-صفحه نمایش های لمسی مقاومتی: این روش ساخت که با نام صفحات فشاری نیز شناخته می شوند گسترده ترین نوع صفحات لمسی هستند که از تکنولوژِی ساخت ساده تر و در نتیجه ارزان تری نسبت به رقبا برخوردار بوده و بیش از همه در نمونه های مبتنی بر ویندوز موبایل (همانند HTC Touch Diamond و یا HTC TyTNΙΙ) دیده می شود.

بقیه و متن کامل در ادامه مطالب...

دستگاه درب بازکن رمزی قادر است پس از تعریف اولیه رمز و پس از تایید فرمان ، در را باز کند.

معرفی و کاربرد:

در این دستگاه قابلیت تعریف رمز های مجاز به عنوان کلید برای باز کردن درب امکان پذیر است.

این دستگاه تا رمز ظرفیت دارد و بر حسب سفارش قابلیت افزایش رمز های بیشتر و کمتر را نیز دارد.

قسمت قفل برقی* با سیستم دربازکن در ارتباط بوده و بصورت خودکار و بدون احتیاج به دستگیره عمل خواهد نمود.

توجه : منظور از قفل برقی همان قفل برقی موجود در پشت درب می باشد که در حال حاضر از طریق FF در را باز می کند.

امکان تعریف رمز های مجاز توسط مسول سیستم وجود دارد. همچنین حذف رمزهای معتبر قبلی توسط مسول سیستم امکانپذیر است.

بقیه در ادامه مطالب...

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات: 180		ناشر: آی آر پی دی اف
	حجم کتاب: 20.80 مگابایت

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات: 75		ناشر: آی آر پی دی اف
	حجم کتاب: 4.83 مگابایت

	زبان: انگلیسی		نویسنده: نا مشخص
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات: 108		ناشر: آی آر پی دی اف
	حجم کتاب: 52.26 مگابایت

	زبان: انگلیسی		نویسنده: Neil Randall
	نوع فایل: PDF
	تعداد صفحات: 433		ناشر: آی آر پی دی اف
	حجم کتاب: 11.57 مگابایت